Eine kurze Geschichte des MOS-Transistors, Teil 3: Frank Wanlass

Es ist kaum überraschend, dass Halbleiterunternehmen Anfang der 1960er Jahre zögerten, viel Energie in die MOSFET-Entwicklung zu investieren. Frühe MOSFETs waren 100-mal langsamer als Bipolartransistoren und galten aus gutem Grund als instabil: Ihre elektrischen Eigenschaften veränderten sich stark und unvorhersehbar mit der Zeit und der Temperatur. Um MOSFETs in zuverlässige elektronische Komponenten umzuwandeln, wäre viel Forschungs- und Entwicklungsarbeit nötig. Als Fairchild Semiconductor jedoch Frank Wanlass engagierte, fand der MOSFET seinen Verfechter. Wanlass war dem MOSFET verpflichtet, nicht einem Unternehmen. Er ging überall hin und tat alles, was er konnte, um die Entwicklung des MOSFET voranzutreiben. Er wurde zum Johnny Appleseed der MOS-Technologie (Metall-Oxid-Halbleiter) und pflanzte jederzeit und überall MOSFET-Samen.

Fairchild stellte Wanlass im August 1962 ein, nachdem er an der University of Utah seinen Doktortitel in Physik erhalten hatte. Sein Interesse an der MOS-Technologie wurde geweckt, als er während seines Doktoratsstudiums in Festkörperphysik von der Arbeit von RCA mit Dünnschicht-Cadmiumsulfid-FETs (CdS) las. Die Einfachheit der FET-Gerätestruktur faszinierte ihn zunächst und machte ihn dann besessen. Er erkannte, dass die einfache Struktur des FET bedeutete, dass viele FETs auf einen Halbleiterchip passen würden, und er überlegte, mit diesen Geräten komplexe integrierte Schaltkreise (ICs) zu bauen. Aber die Dünnschicht-CdS-FETs von RCA waren viel zu instabil. Selbst wenn sie einige Stunden lang im Regal lagen, veränderten sich ihre elektrischen Eigenschaften dramatisch. Wanlass glaubte, dass die Herstellung von FETs mit Silizium anstelle von CdS das Problem der parametrischen Drift lösen würde. Wie sich herausstellte, hatte er Unrecht. Halbleiter-FETs litten mehrere Jahre lang unter Drift, bis der MOS-Herstellungsprozess ausreichend gereinigt werden konnte, um die Verunreinigungen zu beseitigen, die die parametrische Drift der FETs verursachten.

Als Wanlass der Forschungs- und Entwicklungsgruppe von Gordon Moore bei Fairchild beitrat, verfolgte das Unternehmen die Richtlinie, neue Doktoranden an jedem Projekt arbeiten zu lassen, das sie durchführen wollten. Wanlass beschloss, sich auf MOSFETs zu konzentrieren, obwohl Moores Abteilung kein besonderes Interesse an der Herstellung der Geräte hatte. Moores Abteilung hatte jedoch ein großes Interesse an der MOS-Verarbeitung, da dies die grundlegende Struktur und Natur von Jean Hoernis planarem Herstellungsprozess war, den Fairchild zur Herstellung von Bipolartransistoren und ICs verwendete. Jedes bessere Verständnis des Planarprozesses und alle an der Prozesstechnologie vorgenommenen Verbesserungen würden die Fähigkeit von Fairchild zur Herstellung von Bipolartransistoren und integrierten Schaltkreisen verbessern.

Wanlass hatte kein Interesse daran, die Eigenschaften des MOS-Prozesses zu untersuchen oder zu analysieren. Er wollte diskrete MOSFETs herstellen, ICs mit MOSFETs bauen und unter Verwendung dieser Geräte Schaltkreise auf Systemebene entwerfen, um die Nachfrage nach den Komponenten zu steigern. Im nächsten Jahr tat er genau das. In weniger als sechs Monaten entwarf und fertigte Wanlass einzelne p- und n-Kanal-MOSFETs aus Silizium im Planarverfahren. Alle p-Kanal-Geräte zeigten eine starke parametrische Drift, während keines der n-Kanal-Geräte überhaupt funktionierte. Er testete die parametrische Drift von p-Kanal-Geräten, indem er sie in einen Kurvenschreiber steckte und mit einem Zigarettenanzünder erhitzte. Anschließend entwarf und fertigte er einen Flip-Flop-IC mit MOSFETs und erzielte eine unglaubliche Waferausbeute von mehr als 80 %. Er entwickelte Anwendungsschaltungen für MOSFETs, einschließlich eines Strommessers, der die extrem hohe Eingangsimpedanz des MOSFET nutzte.

Unterwegs patentierten Wanlass und sein Manager CT Sah die Idee für CMOS-Schaltkreise, die p- und n-Kanal-MOSFETs auf einem Siliziumchip kombinieren. CMOS ist die grundlegende Transistortechnologie für fast jeden heute hergestellten IC. (Hinweis: Sah wird oft als alleiniger Erfinder von CMOS aufgeführt, aber sein Name steht auf dem Patent, da er der Manager von Wanlass war und es üblich war, den Manager zusammen mit dem Erfinder in der Patentanmeldung aufzuführen.)

Anfang 1963 begann Gordon Moore, mehr Leute einzustellen, um die MOS-Prozesstechnologie gründlicher zu analysieren. Allerdings war er nicht daran interessiert, MOSFETs zu studieren. Er wollte einfach den planaren Metalloxid-Halbleiter-Prozess besser verstehen, damit Fairchild bessere Bipolartransistoren und ICs herstellen konnte. Das Analyseteam bestand aus Bruce Deal, Andrew Grove und Ed Snow. Sie wurden nicht in ein formelles Team aufgenommen, lernten aber durch lockere Interaktionen im Büro schnell einander und ihre ergänzenden Aufgaben kennen. Deal beschäftigte sich mit Oxidation und Oberflächenzuständen. Snow analysierte vorübergehende MOS-Instabilitäten. Grove schrieb Programme zur Modellierung der Analysen.

Ende 1963 war sich Wanlass sicher, dass Fairchild MOS-Geräte nur studieren und analysieren und nicht kommerziell bauen wollte, und er zog es viel lieber vor, Geräte herzustellen, als sie zu studieren. Wanlass verließ Fairchild im Dezember 1963, nur ein Jahr und vier Monate nach seinem Eintritt in das Unternehmen. Er nahm eine Stelle bei General Microelectronics (GME) an, das von einer kleinen Gruppe ehemaliger Fairchild-Mitarbeiter gegründet worden war, die beschlossen hatten, ein Halbleiterunternehmen zu gründen. GME war eines der ersten Spin-offs von Fairchild Semiconductor, zusammen bekannt als Fairchildren. Die Ziele und die Ausrichtung von GME würden Wanlass eindeutig dorthin führen, wo er hin wollte, und Wanlass übernahm sofort die Verantwortung für die Entwicklung und Herstellung von MOS-Transistoren und ICs.

Wanlass brachte seine ausgeprägten MOS-Designfähigkeiten zu GME ein. Er hatte bei Fairchild erfolgreich MOSFETs und kleine MOS-ICs gebaut, also brachte er diese Fähigkeiten mit, aber er brachte auch noch eine andere wichtige Sache mit. Während seiner Arbeit bei Fairchild entdeckte Wanlass, dass er die Zeit- und Temperaturdrift der MOS-Eigenschaften erheblich reduzieren könnte, wenn er Aluminiumverbindungen auf dem Halbleiterwafer mithilfe von Elektronenstrahlverdampfung anstelle von thermischer Verdampfung aufdampfte. Fairchild hatte in seinem Keller Elektronenstrahlverdampfer gebaut. Es war eines der ersten Halbleiterunternehmen, das über einen solchen Verdampfer verfügte.

In einem Interview sagte Wanlass: „Eines Tages, an einem Sonntag, fuhr ich die Autobahn 101 entlang, und es traf mich. Es muss Natrium sein, und ich hatte einen Aluminiumdraht zur spektroskopischen Analyse geschickt. Ich wusste aus meiner College-Arbeit und einigen meiner Abschlussarbeiten, dass Natrium … Ich wusste mit Sicherheit, dass Natrium mit nur ein wenig Hilfe von Temperatur und Spannung direkt durch Quarz diffundieren würde. Es hatte einen sehr hohen Diffusionskoeffizienten. Ich wusste, dass. Das stammt aus Experimenten im College.“

Wanlass vermutete, dass durch den thermischen Verdampfungsprozess kontaminiertes Aluminium auf dem Halbleiterwafer abgelagert wurde und dass dieses kontaminierte Aluminium zum Driften der Geräte führte, und versuchte daher, Platin anstelle von Aluminium auf die Wafer aufzudampfen. Da Platin nicht chemisch geätzt werden kann, musste er die Gate-Elektroden mit einer spitzen Wolframsonde von Hand in die Platinschicht einritzen. Der resultierende MOSFET driftete nicht annähernd so stark. Dann versuchte er es mit Gold und anderen Metallen, aber Platin war überlegen. Der Vollständigkeit halber nutzte Wanlass dann die Elektronenstrahlverdampfer, um Aluminium auf einen Wafer zu bringen. Sie drifteten auch nicht annähernd so stark, und die Elektronenstrahlverdampfung von Aluminium wurde schnell Teil des MOS-Prozessrezepts. Dies alles geschah, als Wanlass noch bei Fairchild war, und er brachte dieses wichtige Wissen zu GME.

Irgendwann würde die Industrie verstehen, dass eine Kontamination mit Natriumionen Drift verursacht und p-Kanal-MOSFETs mit der Zeit zerstört, während es gleichzeitig unmöglich wird, funktionierende n-Kanal-MOSFETs zu bauen. Das Aluminium war mit Natrium verunreinigt, als es durch Drahtdüsen gezogen wurde, um den Aluminiumdraht herzustellen, der als Ausgangsmaterial für die Dampfabscheidung diente. Die Drahtdüsen wurden mit Natrium geschmiert. Bei der Elektronenstrahlverdampfung kommt ein Verschlussmechanismus zum Einsatz, der die Wafer vom Tiegel mit geschmolzenem Aluminium abschirmt, bis das Aluminium seine Verdampfungstemperatur erreicht. Natrium hat einen viel niedrigeren Siedepunkt als Aluminium, daher verdampfte das Natrium und verflüchtigte sich, bevor sich der Verschluss in der Verdampfungskammer öffnete und den Wafer dem Aluminiumdampf aussetzte.

Wanlass verwendete bei GME Elektronenstrahlverdampfer, um Wafer zu metallisieren, und im Mai 1964 hatte er einen funktionierenden, diskreten MOS-Transistor hergestellt. Das Unternehmen brachte dieses Gerät Monate vor Fairchild auf den Markt. Wanlass baute dann ein 20-Bit-Schieberegister als monolithischen MOS-IC, nicht weil die Kunden es verlangten, sondern einfach weil er es konnte. Ein 20-Bit-Schieberegister ergab ein hervorragendes MOS-IC-Demonstrationsfahrzeug. Zu dieser Zeit waren Schieberegister die von der Industrie bevorzugte Form für kleine digitale Speichergeräte, da sie eine geringe Pin-Anzahl hatten und gleichzeitig die Montage der Geräte in einem TO-5-Metallgehäuse-Transistorgehäuse mit bis zu 12 Pins ermöglichten.

Obwohl GME 1964 auf der WESCON (Western Electronic Show and Convention) in Los Angeles einen Stand auf der Ausstellungsfläche hatte, mietete das Unternehmen auch ein Hotelzimmer, nur um den Schaltregister-IC von Wanlass vorzuführen. Die MOS-Schieberegister-IC-Demo von GME beeindruckte potenzielle Kunden, festigte die Führungsposition von GME bei MOS-ICs und positionierte Wanlass als branchenführende Autorität in der MOS-IC-Entwicklung.

Die MOS-Schieberegister-IC-Demo von GME, der wachsende Ruf des Unternehmens als MOSFET-Anbieter sowie das Verkaufsgeschick und die Kontakte des pensionierten US-Marineobersten Art Lowell, einem der Gründer von GME, zogen Kunden aus der US-Regierung an. Der erste MOS-Designvertrag des Unternehmens bestand mit der NASA, um einen IC mit sechs oder sieben MOSFETs für die Raumsonde Interplanetary Monitoring Platform zu entwerfen, ein Programm, das vom Goddard Space Flight Center der NASA in Greenbelt, Maryland, verwaltet wurde. Für Raumfahrzeuge gelten strenge Leistungsbeschränkungen, daher schienen MOS-ICs mit geringem Stromverbrauch wie geschaffen für das Projekt. Auch die streng geheime National Security Agency (NSA) wurde einer der ersten GME-Kunden. Die NSA hatte einen ehrgeizigen Plan, drahtlose Kommunikation mit Entschlüsselungsschaltkreisen in die Helme der Soldaten zu integrieren, erinnert sich Wanlass.

Die Gerätedichte führte dazu, dass GME den Weg einschlug, der zum frühen Schicksal des MOS-ICs führte: Taschenrechner. GME unterzeichnete eine Vereinbarung mit Victor Comptometer zum Bau eines MOS-Rechner-Chipsatzes, der aus mindestens 20 ICs besteht, von denen jeder Hunderte von Schaltkreiskomponenten einschließlich MOSFETs enthält. Für Wanlass hätte dies ein Traumprojekt sein sollen, aber er wusste, dass GME dieser Herausforderung nicht gewachsen sein würde. Wanlass verließ GME im Dezember 1964, als das Taschenrechnerprojekt gerade erst begann. Wie er erwartet hatte, kam es beim Rechnerprojekt von GME zu Verzögerungen. Das Unternehmen bekam Geldprobleme und wurde 1966 von Philco-Ford übernommen. Es wurde zur Microelectronics Division von Philco-Ford, und die Marke General Microelectronics existierte nicht mehr. Philco-Ford gab das Victor-Rechnerprojekt schließlich 1968 auf, und das Unternehmen selbst hörte einige Jahre später auf zu existieren, als Ford beschloss, es zu verkaufen. „GME hat das Geschäft aufgegeben, weil sie nicht genug Geld hatten und zu schnell und zu früh Druck machten“, sagte Wanlass in einem Interview.

Als er GME verließ, versuchten Wanlass und vier seiner Kollegen zunächst, ein eigenes Halbleiterunternehmen zu gründen, doch der Deal scheiterte. Stattdessen schloss sich das Team General Instrument (GI) an, einem Elektronikkonzern an der Ostküste, der sein Portfolio um die Halbleiterfertigung, insbesondere die IC-Fertigung, erweitern wollte. GI hatte bereits Manager von anderen Halbleiterherstellern eingestellt, darunter Philco und IBM. Durch die Hinzufügung von Wanlass und seinem Team wurde die Richtung der neuen Halbleiterabteilung festgelegt: MOS.

Das erste, was Wanlass bei GI tat, war, einen 21-Bit-Schieberegister-IC zu entwerfen und herzustellen, der ein bisschen größer als das Gerät von GME war, sodass GI behaupten konnte, das größte zu haben. Bald stellte GI 50- und 90-Bit-MOS-Schieberegister-ICs vor. Dann zahlte sich etwas aus, was Wanlass während seiner Amtszeit bei GME tat und was ihm eine Rendite auf seine Investition einbrachte. Während Wanlass 1964 in dieser Hotelsuite auf der WESCON das 20-Bit-Schieberegister von GME vorführte, traf er einen Ingenieur namens Bob Booher, der für Rockwell Autonetics arbeitete, einen Avionik-Auftragnehmer, der vor allem für die Entwicklung von Trägheitsleitsystemen für US-U-Boote und Interkontinentalraketen bekannt ist. Wanlass scheint Booher bei diesem Treffen mit seinem Eifer für MOS-ICs angesteckt zu haben.

Ein paar Jahre später fand Booher Wanlass bei GI und fragte, ob GI einen von ihm entworfenen Chip herstellen könne. Es handelte sich um einen digitalen Differentialanalysator (DDA), und es war für die damalige Zeit ein sehr ehrgeiziges Gerät. Boohers DDA war eine digitale Implementierung von Vannevar Bushs Differentialanalysator, einem mechanischen Analogcomputer, der vor dem Aufkommen digitaler elektronischer Computer häufig zur numerischen Lösung von Differentialgleichungen verwendet wurde. Schließlich würde Rockwell Autonetics eine eigene Halbleiterfertigungsgruppe gründen, aber das lag in der Zukunft, und Rockwell war zu diesem Zeitpunkt nicht in der Lage, einen so großen Chip herzustellen. Das Chip-Design erforderte ein paar tausend Transistoren und war mit Abstand das komplexeste IC-Design, das Wanlass bisher gesehen hatte. Darüber hinaus hatte Booher ein neuartiges 4-Phasen-Taktschema entwickelt, das schnelle dynamische Logikgatter erzeugte und gleichzeitig Platz auf dem Silizium sparte. Wanlass stimmte zu, den Chip für Booher zu bauen, und das Gerät funktionierte. GI führte das Gerät im August 1966 vor und Booher war überglücklich.

1967 machte sich Wanlass‘ berüchtigter Mangel an Geduld erneut bemerkbar. Er hatte einen Handel gemacht, der ihm nicht gefiel, aber dieses Mal war es der Ort, der ihn störte. Die Halbleiterfabrik von GI befand sich in Hicksville auf der New Yorker Insel Long Island. Wanlass wuchs als Westler auf und mochte weder das Wetter an der Ostküste noch die gewerkschaftlich organisierte Belegschaft. Er schlug vor, den gesamten Halbleiterbetrieb von GI nach Utah zu verlegen, wo er aufgewachsen war. Um ihn bei Laune zu halten, erlaubte GI Wanlass, ein Forschungs- und Entwicklungslabor in Salt Lake City, Utah, einzurichten, wo er seinen Doktortitel erworben hatte. Angesichts der Wirkung von Natrium auf MOS-ICs war eine Stadt namens Salt Lake City vielleicht kein idealer Standort für ein MOS-Halbleiterlabor, aber der Deal sorgte dafür, dass Wanlass zumindest noch ein paar Jahre für GI arbeitete. Das Labor wurde im August 1967 eingeweiht. In dieser Zeit wurde GI zum Marktführer in der Entwicklung und Herstellung von MOS-ICs. Wanlass verließ GI im Jahr 1970 und der Ruf des Unternehmens in der IC-Branche verschlechterte sich danach schnell.

Als tatkräftiger MOS-Evangelist half Wanlass mehreren Unternehmen direkt oder indirekt beim Einstieg in das MOS-IC-Geschäft. Die Forscher von Fairchild profitierten weiterhin von der Arbeit, die er dort leistete. Wanlass traf sich im März 1965 mit Leuten von IBM Research und teilte sein Wissen über das MOS-IC-Design mit ihnen. IBM Research wurde bald zu einem Schwerpunkt der MOS-Forschung. Fairchild stellte Lee Boysel 1966 von IBM ein. Er hatte im Wesentlichen bei Wanlass bei GI gelernt, obwohl er für IBM arbeitete. Als er zu Fairchild kam, war er daher mit allen Aspekten der MOS-IC-Technologie, einschließlich Boohers 4-Phasen-Taktschema, bestens vertraut. 1969 gründete Boysel sein eigenes Computer- und MOS-Halbleiterunternehmen, Four-Phase Systems. Fairchild stellte außerdem Bob Cole von GME ein, wo er mit Wanlass als leitender Ingenieur im MOS-Fertigungsbetrieb von GME zusammengearbeitet hatte. Der erste MOS-IC von Texas Instruments war Berichten zufolge eine rückentwickelte Kopie eines von Wanlass entworfenen GI-Chips.

Als Gordon Moore 1968 Intel mitbegründete, um MOS-Speicher-ICs herzustellen, versuchte er, Wanlass einzustellen, doch Wanlass war durch einen Siebenjahresvertrag an GI gebunden und lehnte das Angebot ab. Dennoch nahm der leitende MOS-Ingenieur von Intel an einem GI-Seminar teil, in dem Wanlass die MOS-Arbeit von GI ausführlich beschrieb. Wann immer er konnte, gab Wanlass eifrig Informationen weiter, denn sein vorrangiges Ziel bestand darin, den Einsatz von MOS-ICs in der Industrie zu fördern. Es ist nicht so, dass Wanlass keine Geheimnisse für sich behalten könnte. Bevor er seinen Doktortitel erlangte, verbrachte er ein paar Jahre im Sonderdienst der US-Armee und beschäftigte sich mit Atomwaffengeheimnissen, und er hatte es satt, Geheimnisse zu bewahren.

In der Halbleitergeschichte wird Wanlass aus gutem Grund oft als „ungeduldig“ charakterisiert. Er verließ einen Arbeitgeber und wechselte zu grüneren Weiden, wann immer er der Meinung war, dass dies der MOSFET-Entwicklung zugute kommen würde. Die Halbleiterindustrie kann sich tatsächlich glücklich schätzen, dass er so ungeduldig war. Seine Besessenheit trieb ihn dazu, dorthin zu gehen, wo er die besten Chancen hatte, MOSFETs zu helfen, das Schicksal zu erreichen, das er sich als Doktorand an der University of Utah vorgestellt hatte, sei es, dass dies einen Arbeitgeberwechsel erforderte, detaillierte technische Präsentationen für Forscher anderer Halbleiterhersteller hielt oder Auf Anfrage bieten wir umfassende kostenlose Beratung an oder stellen sogar Auszubildende von konkurrierenden Halbleiteranbietern ein.

Wanlass‘ historischer Werdegang versiegt schnell, nachdem er 1970 GI verließ. Er scheint nach Kalifornien und ins Silicon Valley gezogen zu sein. Nachdem er GI verlassen hatte, arbeitete Wanlass für mehrere Start-up-Halbleiterunternehmen, gründete sie oder war an ihnen beteiligt, darunter:

· Varadyne, ein breit aufgestellter Hersteller elektronischer Komponenten in Santa Monica, Kalifornien, der das MOS-Designhaus Integrated Systems Technology kaufte, das aus GME hervorging, nachdem Philco-Ford das Unternehmen 1966 gekauft hatte

· CMOS-Uhrenchip-Hersteller LSI Systems in Sunnyvale, Kalifornien, der 1976 von John Marshall gekauft und in Integrated Technology Corporation umbenannt wurde, wobei Wanlass als Designberater blieb

· Computer- und Speicherchiphersteller Four-Phase Systems in Cupertino, Kalifornien

· Ultra Logic, das CMOS-Prozessberatungsunternehmen von Wanlass, das einen frühen BiCMOS-Prozess namens UltraCMOS entwickelte und patentierte, der CMOS-Logik mit bipolaren Ausgangstransistoren kombinierte

· Zytrex in Sunnyvale, Kalifornien, das 1981 Ultra Logic von Wanlass kaufte und ihn als CTO einsetzte

· Standard Microsystems in Hauppauge, New York, das 2012 von Microchip übernommen wurde.

Robert Plachno war VP of Engineering bei Zytrex, als Wanlass CTO war. Plachno erinnert sich, dass Wanlass sich hinsetzen und mit einem Bleistift und einem Blatt Papier einen neuen CMOS-Prozess entwerfen konnte, indem er den Werkzeugfluss sowie die für jeden Prozessschritt erforderlichen Zeiten und Temperaturen in einer geordneten Spalte auf dem Papier notierte. Er erinnert sich auch daran, dass Wanlass einen neuen IC von Hand auf einer Mylar-Platte im E-Format entwarf und dabei eine Tischtennisplatte nutzte, die in seiner Garage als Arbeitstisch diente.

Im Jahr 1991 wurde Wanlass der dritte Empfänger des IEEE Solid-State Circuits Award, der heute IEEE Donald O. Pederson Award in Solid-State Circuits heißt. Anlässlich des 50. Jahrestags des MOSFET und des integrierten Schaltkreises im Jahr 2009 wurde Frank Wanlass für seine Erfindung der CMOS-Schaltung in die National Inventors Hall of Fame aufgenommen. 1994 ging er in den Ruhestand, beschäftigte sich aber weiterhin mit Elektronik und Computern.

Letztendlich wurde Wanlass‘ Vision für MOS-ICs Wirklichkeit. Er starb im Jahr 2010 und hatte daher reichlich Gelegenheit, mitzuerleben, wie MOSFETs und CMOS zu den grundlegenden Schaltkreiselementen für fast alle heutigen ICs wurden. Auf seinem personalisierten kalifornischen Nummernschild stand „I LUV CMOS“, eine passende Botschaft für den ersten MOS-Evangelisten der Branche.

Verweise

Interview mit Frank Wanlass von Ross Knox Bassett, 18. Oktober 1994, aus Bassetts persönlicher Sammlung.

Interview mit Robert Plachno, ehemals VP of Engineering bei Zytrex, von Steve Leibson, 25. Februar 2023.

Auf ins digitale Zeitalter: Forschungslabore, Start-up-Unternehmen und der Aufstieg der MOS-Technologie, Ross Knox Bassett, 2002

Moores Gesetz: Das Leben von Gordon Moore, dem stillen Revolutionär des Silicon Valley, Arnold Thackray, David C. Brock und Rachel Jones, 2015

Geschichte der Halbleitertechnik, Bo Lojek, 2007

Ross Knox Bassett, „MOS Technology, 1963-1974: A Dozen Crucial Years“, The Electrochemical Society Interface, Herbst 2007, S. 46-50

Michael J. Riezenman, „Wanlass's CMOS Circuit“, IEEE Spectrum, Mai 1991, S. 41.